收藏本站
NTD4806N, NVD4806N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
4000
3000
V DS = 0 V V GS = 0 V
C iss
T J = 25 ° C
8
6
2000
C iss
4
Q 1
Q T
Q 2
V GS
C rss
1000
0
10
5
V GS
C rss
0
V DS
5
10
15
20
C oss
25
2
0
0
I D = 30 A
V GS = 4.5 V
T J = 25 ° C
5 10 15
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
20
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Figure 8. Gate ? To ? Source and Drain ? To ? Source
Voltage vs. Total Charge
1000
100
10
V DD = 15 V
I D = 30 A
V GS = 11.5 V
t r
t d(off)
t d(on)
30
25
20
15
10
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
t f
5
1
1
10
100
0
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1000
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation vs. Gate Resistance
250
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
I D = 21 A
100
10 m s
100 m s
200
150
10
1
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
1 ms
10 ms
dc
100
50
0.1
0.1
PACKAGE LIMIT
1
10
100
0
25
50 75
100 125
150
175
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
5
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
NTD4808N-1G MOSFET N-CH 30V 9.8A IPAK
NTD4809NHT4G MOSFET N-CH 30V 9A DPAK
NTD4809NT4G MOSFET N-CH 30V 9.6A DPAK
NTD4810NHT4G MOSFET N-CH 30V 8.6A DPAK
NTD4810NT4G MOSFET N-CHAN 10.8A 30V DPAK
NTD4813N-35G MOSFET N-CH 30V 7.6A IPAK
NTD4813NHT4G MOSFET N-CH 30V 40A DPAK
NTD4815NHT4G MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
相关代理商/技术参数
NTD4808N 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 63 A, Single N--Channel, DPAK/IPAK
NTD4808N-1G 功能描述:MOSFET NFET 30V 63A 8MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD4808N-35G 功能描述:MOSFET NFET 30V 63A 8MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD4808NT4G 功能描述:MOSFET NFET 30V 63A 8MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD4809N 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 58 A, Single N--Channel, DPAK/IPAK
NTD4809N-1G 功能描述:MOSFET NFET 30V 58A 9MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD4809N-35G 功能描述:MOSFET NFET 30V 58A 9MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD4809N-35H 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:ON Semiconductor 功能描述: